Amplificateur Circlotron à transistors MosFet ou Latéral MosFet.
Triple PPP de Mos Fet ou Lateral MosFet.
Des Watts pour la musique, pas pour chauffer les corbeaux 
La carte Amplificateur.
-La partie Driver-
La partie Driver LME-49830.
Hélas, à mon grand regret, ce circuit exceptionnel est obsolète et il va falloir réfléchir à le remplacer par un étage à transistors.
La partie Driver est développée autour de deux circuits intégrés spécialisés de chez Texas, le LME49830. Ce circuit spécialisé très performant, permet de piloter tout type de MosFet en canal N ou P. La configuration symétrique du Circlotron oblige de disposer de deux drivers identiques disposant chacun de son entrée et de sa correction différentielle. Cette option permet de bénéficier aussi d'une sortie positive ou négative (commutable par strap) afin de piloter des MosFets canal N ou P, puisqu'à l'origine, ce driver est prévu pour attaquer une paire complémentaire. Le circuit intégré acceptant une alimentation de = +- 20 V à 100 V autorise de pouvoir piloter un étage de puissance conséquente. A noter que cet étage dispose de sa propre alimentation régulée. Les performances intrinsèques de cette petite bestiole, à savoir un niveau de bruit de 44 µV sur une bande passante très étendue, une vitesse de 40 V /µS , et une distorsion typique de 0,0006 % relègue presque aux oubliettes tout autre type de driver , y compris, et surtout, ceux à tubes si audiophiles soient-ils. On peut aussi, histoire d'enfoncer un peu le clou, ajouter: la stabilité, la protection thermique, la commande de Bias et le circuit de Mute. Cet amplificateur sera placé en ce qui me concerne, derrière un lecteur SACD et DSD symétrique pour écouter de la musique classique.
Routage en cours de la nouvelle carte amplificateur.
La partie Puissance.
Sur cette nouvelle version, l'amplificateur est un bloc mono composé de deux modules miroités montés sur deux dissipateurs faisant office de flancs et d'une alimentation centrale. La partie Puissance de chaque module supporte trois transistors Lateral MosFet ECX10N20 en boitier TO247 ou TO264 ainsi que tous les composants périphériques de puissance et de découplage. Les dissipateurs thermiques 300 x 100 x 60) largement dimensionné en vue d'une petite puissance en configuration classe A . La puissance de sortie dépend du type de MosFet et de la tension d'alimentation. Il faut aussi que l'alimentation soit capable de délivrer le courant nécessaire, et elle le sera. Le circuit imprimé supporte le câblage de MosFet Canal N et P. Ses caractéristiques intrinsèques font du Lateral MosFet N ou P, le composant presque idéal pour la réalisation d'un amplificateur Circlotron parfaitement symétrique, avec tous les avantages liés à cette configuration. Le pilotage de ce module de puissance est confié à un étage driver à transistors. La contre réaction est locale et bien entendu symétrique. Comment peut-il en autre autrement ?
Ne travaillant ni à très haute puissance, ni à la limite de la SOA, le fait de câbler du canal P ou N ne change rien du tout. Une SOA un peu plus sécurisante sur le canal P et une RDS un peu meilleure sur le canal N. Le canal P est intéressant pour un module hybride driver à tube.
Schéma de la partie "Puissance" Latéral MosFet canal-N
L'implantation.
Le dissipateur thermique avant usinage et anodisation.
Photo à venir
La carte Circlotron de Latéral MosFet canal-N câblée.
Photo à venir
Le bloc "Puissance" Latéral MosFet canal-N prêt à être monté.
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