Amplificateur Circlotron à transistors Latéral MosFet.

Triple PPP de Lateral MosFet canal N et P.

  Des Watts pour la musique,  pas pour chauffer les corbeaux   

La carte Amplificateur.

 

 

-La partie Driver-

La partie Driver LME-49830.

La  partie Driver est développée autour de deux circuits intégrés spécialisés de chez Texas, le LME49830. Ce circuit spécialisé très performant,  permet de piloter tout type de MosFet en canal N ou P. La configuration symétrique du Circlotron oblige de disposer de deux drivers identiques disposant chacun de son entrée et de sa correction différentielle. Cette option permet de bénéficier aussi d'une sortie positive ou négative (commutable par strap) afin de piloter des MosFets canal N ou P, puisqu'à l'origine, ce driver est prévu pour attaquer une paire complémentaire. Le circuit intégré acceptant une alimentation de = +- 20 V à 100 V autorise de pouvoir piloter un étage de puissance conséquente. A noter que cet étage dispose de sa propre alimentation régulée. Les performances intrinsèques de cette petite bestiole, à savoir un niveau de bruit de 44 µV sur une bande passante très étendue, une vitesse de 40 V /µS , et une distorsion typique de 0,0006 %  relègue presque aux oubliettes tout autre type de driver ,  y compris, et surtout,  ceux à tubes si audiophiles soient-ils. On peut aussi, histoire d'enfoncer un peu le clou, ajouter:  la stabilité, la protection thermique, la commande de Bias et le circuit de Mute. Cet amplificateur sera placé en ce qui me concerne, derrière un lecteur SACD et DSD symétrique pour écouter de la musique classique.

Schéma de la partie Driver.

 

La partie  Puissance.

La partie Puissance supporte six transistors Lateral MosFet ALF16N ou ALF16P en boitier TO247 ou TO264 ( trois par rail ) ainsi que tous les composants périphériques de puissance et de découplage. Le dissipateur thermique 350 x 130 x 60) largement dimensionné en vue d'une configuration en classe A.   La puissance de sortie dépend du type de MosFet et de la tension d'alimentation. Il faut aussi que l'alimentation soit capable de délivrer le courant nécessaire, et elle le sera. Le circuit imprimé supporte le câblage de MosFet's Canal N et P. Ses caractéristiques intrinsèques font du Lateral MosFet N ou P, le composant presque idéal pour la réalisation d'un amplificateur Circlotron parfaitement symétrique, avec tous les avantages liés à cette configuration. Le pilotage de ce module de puissance est confié au circuit intégré spécialisé , LME 49830.

Ne travaillant ni à très haute puissance, ni à la limite de la SOA, le fait de câbler du canal P ou N ne change rien du tout. Une SOA un peu plus sécurisante sur le canal P et une RDS un peu meilleure sur le canal N.

Schéma de la partie "Puissance" Latéral MosFet canal-N

  

Schéma de la partie "Puissance" Latéral MosFet canal-P

L'implantation.

 

Le dissipateur thermique avant usinage et anodisation.

Photo à venir

La carte  Circlotron de  Latéral MosFet canal-N câblée.

 

Photo à venir

Le bloc  "Puissance" Latéral MosFet canal-N prêt à être monté.

 

 

 

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